Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 25mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,346
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,419
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10
€ 0,346
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,419
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,346 | € 3,46 |
100 - 240 | € 0,273 | € 2,73 |
250 - 990 | € 0,24 | € 2,40 |
1000+ | € 0,194 | € 1,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 to 25mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.