Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,168
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,203
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
200
€ 0,168
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,203
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
200
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
200 - 1400 | € 0,168 | € 33,60 |
1600+ | € 0,112 | € 22,47 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas