Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
9 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +0.6 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
1.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-25 °C
Aukštis
1.3mm
Produkto aprašymas
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,292
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,353
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,292
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,353
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Maximum Drain Source Voltage
9 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +0.6 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
1.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-25 °C
Aukštis
1.3mm
Produkto aprašymas
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.