Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnatecTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-18
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.3 x 5.8 x 5.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
Standartas
5
P.O.A.
Standartas
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnatecTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-18
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.3 x 5.8 x 5.8mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C