Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
PLUS247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Aukštis
21.34mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 22,04
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 26,668
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 22,04
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 26,668
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 22,04 | € 661,20 |
120 - 270 | € 19,76 | € 592,80 |
300 - 570 | € 19,095 | € 572,85 |
600 - 870 | € 18,62 | € 558,60 |
900+ | € 18,145 | € 544,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
PLUS247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Aukštis
21.34mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V