Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.4V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Serija
HiperFET
Aukštis
4.83mm
Ilgis
10.41mm
Plotis
11.05mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
390 W
Markė
IXYSMaximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Typical Gate Charge @ Vgs
83 @ 10 V nC
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 9,69
už 1 vnt. (be PVM)
€ 11,72
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 9,69
už 1 vnt. (be PVM)
€ 11,72
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 9,69 |
5 - 9 | € 8,26 |
10 - 24 | € 7,88 |
25+ | € 7,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.4V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Serija
HiperFET
Aukštis
4.83mm
Ilgis
10.41mm
Plotis
11.05mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
390 W
Markė
IXYSMaximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Typical Gate Charge @ Vgs
83 @ 10 V nC