Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
Si4435DYPbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 007,00
€ 0,252 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 1 218,47
€ 0,305 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

€ 1 007,00
€ 0,252 Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 1 218,47
€ 0,305 Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
Si4435DYPbF
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V