Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF7805Z
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,375
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,454
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,375
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,454
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
IRF7805Z
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V