Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
12.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
4.83mm
Serija
IRF3707ZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,688
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,832
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10
€ 0,688
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,832
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
2 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
12.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
57 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC @ 4.5 V
Aukštis
4.83mm
Serija
IRF3707ZS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V