Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Serija
CoolMOS™ C7
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
15.95mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Aukštis
4.57mm
Produkto aprašymas
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,61
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 4,368
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
4
€ 3,61
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 4,368
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
4
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
4 - 36 | € 3,61 | € 14,44 |
40 - 96 | € 3,23 | € 12,92 |
100 - 196 | € 3,088 | € 12,35 |
200 - 396 | € 2,85 | € 11,40 |
400+ | € 2,66 | € 10,64 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Serija
CoolMOS™ C7
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Plotis
15.95mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Aukštis
4.57mm
Produkto aprašymas
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.