Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Serija
SIPMOS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,061
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,074
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,061
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,074
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
360 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Serija
SIPMOS
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China