Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
TDSON
Serija
BSC036NE7NS3 G
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,572
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 3,112
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 2,572
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 3,112
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
TDSON
Serija
BSC036NE7NS3 G
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C