Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
150 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-143
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
7.5 GHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,144
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,144
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
150 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Pakuotės tipas
SOT-143
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
7.5 GHz
Kaiščių skaičius
4
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas