Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.5 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,51
€ 0,551 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 6,67
€ 0,667 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 5,51
€ 0,551 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 6,67
€ 0,667 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
3.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47.5 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas