Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 8V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Plotis
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,184
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,223
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,184
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,223
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 8V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Plotis
2.05mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China