Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
11 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.55mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,215
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,26
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,215
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,26
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
11 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.55mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10V
Plotis
3.55mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China