Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,295
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,357
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,295
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,357
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,295 | € 29,50 |
500 - 900 | € 0,182 | € 18,16 |
1000 - 2400 | € 0,176 | € 17,64 |
2500 - 4900 | € 0,166 | € 16,59 |
5000+ | € 0,156 | € 15,64 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas