Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 64,79
€ 0,324 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 78,40
€ 0,392 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

€ 64,79
€ 0,324 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 78,40
€ 0,392 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
200 - 480 | € 0,324 | € 6,48 |
500 - 980 | € 0,293 | € 5,85 |
1000 - 1980 | € 0,276 | € 5,51 |
2000+ | € 0,259 | € 5,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
185 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas