Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.6V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,31
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,795
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 2,31
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,795
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.6V