Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
48 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,391
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,473
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,391
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,473
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SO
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
48 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas