Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
111.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8S
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
65.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.3mm
Ilgis
3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
154 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.78mm
€ 1 265,40
€ 0,422 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 531,13
€ 0,511 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 265,40
€ 0,422 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 531,13
€ 0,511 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
111.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8S
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
65.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.3mm
Ilgis
3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
154 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.78mm