Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.12mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,68
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,68
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,68 | € 8,40 |
50 - 120 | € 1,418 | € 7,09 |
125 - 245 | € 1,365 | € 6,82 |
250 - 495 | € 1,26 | € 6,30 |
500+ | € 1,155 | € 5,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
102 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.12mm
Produkto aprašymas