Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69.5 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.12mm
Serija
TrenchFET
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,522
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,842
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,522
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,842
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69.5 nC @ 10 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.12mm
Serija
TrenchFET
Produkto aprašymas