Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
5.05 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,73
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,303
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 2,73
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,303
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 18 | € 2,73 | € 5,46 |
20 - 98 | € 2,362 | € 4,72 |
100 - 198 | € 2,048 | € 4,10 |
200 - 498 | € 1,68 | € 3,36 |
500+ | € 1,312 | € 2,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
5.05 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Aukštis
1.12mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Produkto aprašymas