Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
4.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,538
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,651
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 0,538
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,651
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,538 | € 2,69 |
25+ | € 0,52 | € 2,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
4.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas