Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
4.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,522
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,842
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,522
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,842
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,522 | € 7,61 |
50 - 120 | € 1,365 | € 6,82 |
125 - 245 | € 1,208 | € 6,04 |
250 - 495 | € 1,102 | € 5,51 |
500+ | € 1,05 | € 5,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
4.65mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas