Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
3.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1.04mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,102
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,334
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,102
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,334
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,102 | € 5,51 |
50 - 245 | € 0,772 | € 3,86 |
250 - 495 | € 0,684 | € 3,42 |
500 - 1245 | € 0,576 | € 2,88 |
1250+ | € 0,52 | € 2,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PowerPAK 1212-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.05mm
Plotis
3.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1.04mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas