Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
10.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Aukštis
0.85mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,341
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,413
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
€ 0,341
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,413
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,341 | € 6,82 |
200 - 380 | € 0,304 | € 6,09 |
400+ | € 0,30 | € 6,01 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
10.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Aukštis
0.85mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China