Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
1206 ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.12 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,496
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,60
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,496
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,60
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,496 | € 4,96 |
50+ | € 0,485 | € 4,85 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
1206 ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.12 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China