Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Plotis
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,274
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,332
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,274
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,332
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PowerPAK ChipFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9.47 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.2 nC @ 10 V
Plotis
1.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas