Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,522
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,842
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,522
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,842
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,522 | € 7,61 |
50 - 245 | € 1,312 | € 6,56 |
250 - 495 | € 1,048 | € 5,24 |
500 - 1245 | € 0,87 | € 4,35 |
1250+ | € 0,796 | € 3,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Produkto aprašymas