Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,867
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,049
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,867
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,049
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V