Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,041
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 1,26
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 1,041
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 1,26
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 80 | € 1,041 | € 20,81 |
100 - 180 | € 0,834 | € 16,67 |
200 - 480 | € 0,792 | € 15,83 |
500 - 980 | € 0,751 | € 15,02 |
1000+ | € 0,709 | € 14,18 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas