Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.55mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,627
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,759
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,627
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,759
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,627 | € 12,54 |
200 - 480 | € 0,501 | € 10,02 |
500 - 980 | € 0,469 | € 9,39 |
1000 - 1980 | € 0,407 | € 8,15 |
2000+ | € 0,339 | € 6,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.55mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas