Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,151
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,183
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
€ 0,151
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,183
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas