Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
TSOP6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.6V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,039
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,047
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,039
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,047
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
TSOP6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.6V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C