Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
67.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23.8 nC @ 8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,342
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,414
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,342
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,414
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,342 | € 17,12 |
500 - 1200 | € 0,24 | € 12,02 |
1250 - 2450 | € 0,189 | € 9,45 |
2500 - 4950 | € 0,171 | € 8,56 |
5000+ | € 0,136 | € 6,82 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
67.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23.8 nC @ 8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas