Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,456
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,552
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,456
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,552
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,456 | € 11,39 |
250 - 600 | € 0,429 | € 10,74 |
625 - 1225 | € 0,387 | € 9,69 |
1250 - 2475 | € 0,364 | € 9,11 |
2500+ | € 0,342 | € 8,56 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V