Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.02mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,362
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,438
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,362
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,438
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.02mm