Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
306 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
0.42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Plotis
2.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,046
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,056
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,046
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,056
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
306 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
0.42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Plotis
2.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 10 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C