Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.48 Ω, 578 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.2 nC @ 10 V, 1.9 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,117
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,141
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,117
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,141
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
400 mA, 700 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.48 Ω, 578 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
340 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.2 nC @ 10 V, 1.9 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas