Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,132
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,16
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,132
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,16
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas