Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
530 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
762 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
220 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.8 nC @ 8 V
Plotis
0.95mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,193
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,234
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,193
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,234
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,193 | € 9,66 |
500+ | € 0,08 | € 3,99 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
530 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
762 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
220 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.8 nC @ 8 V
Plotis
0.95mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas