Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.34 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
236 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +5 V
Plotis
1.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,163
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,197
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,163
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,197
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.34 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
236 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +5 V
Plotis
1.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas