Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.86mm
Ilgis
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 410,40
€ 0,137 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 496,58
€ 0,166 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 410,40
€ 0,137 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 496,58
€ 0,166 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.86mm
Ilgis
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas