Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
190 mA, 300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SC-89-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω, 8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,504
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,61
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,504
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,61
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,504 | € 10,08 |
200 - 480 | € 0,472 | € 9,45 |
500 - 980 | € 0,428 | € 8,57 |
1000 - 1980 | € 0,403 | € 8,06 |
2000+ | € 0,378 | € 7,56 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
190 mA, 300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SC-89-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω, 8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V
Plotis
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.6mm
Produkto aprašymas