P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1021R-T1-GE3

RS kodas: 180-7825Gamintojas: VishayGamintojo kodas: SI1021R-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

SC-75

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

8 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Number of Elements per Chip

1

Serija

TrenchFET

Kilmės šalis

China

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,534

Each (In a Pack of 20) (be PVM)

€ 0,646

Each (In a Pack of 20) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1021R-T1-GE3
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 0,534

Each (In a Pack of 20) (be PVM)

€ 0,646

Each (In a Pack of 20) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1021R-T1-GE3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
20 - 180€ 0,534€ 10,69
200 - 480€ 0,428€ 8,57
500 - 980€ 0,32€ 6,40
1000 - 1980€ 0,268€ 5,36
2000+€ 0,24€ 4,81

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

SC-75

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

8 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Number of Elements per Chip

1

Serija

TrenchFET

Kilmės šalis

China