Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
240 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.68mm
Plotis
0.86mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 40,66
€ 0,203 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 49,20
€ 0,246 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

€ 40,66
€ 0,203 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 49,20
€ 0,246 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
200

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
200 - 480 | € 0,203 | € 4,07 |
500 - 980 | € 0,181 | € 3,63 |
1000 - 1980 | € 0,117 | € 2,34 |
2000+ | € 0,102 | € 2,03 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
240 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.68mm
Plotis
0.86mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas