Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,29
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
10
€ 0,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,29
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas