Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
180 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.87mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Aukštis
20.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,33
€ 1,33 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,61
€ 1,61 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 1,33
€ 1,33 už 1 vnt. (be PVM)
€ 1,61
€ 1,61 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
180 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.87mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Aukštis
20.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas